Intel, Micron ประกาศจับมือผลิตชิพแฟลชเมมโมรีความจุสูง

0
2516
Intel, Micron ประกาศจับมือผลิตชิพแฟลชเมมโมรีความจุสูง
Intel, Micron ประกาศจับมือผลิตชิพแฟลชเมมโมรีความจุสูง

ข่าวจาก PC World ได้รายงานว่า Intel และ Micron จะจับมือกันผลิตชิพหน่วยความจำแบบแฟลชขนาด 25 nm ในวันจันทร์นี้ โดยข่าวดังกล่าวจะเป็นการวิจัยเพื่อวิเคราะห์ถึงการผลิตอย่างเป็นทางการ และตามที่ PC World ระบุ ตัวแทนจากทางฝั่ง Intel ยืนยันว่าชิพใหม่ที่จะผลิตขึ้นนี้จะนำมาใช้กับไดรว์ Solid State เป็นหลัก รวมถึงสื่อเครื่องเล่นแบบพกพาและสมาร์ทโฟนด้วย คาดว่าในไตรมาสที่ 2 ของปีนี้จะมีตัวอย่างส่งชิพให้กับลูกค้าเพื่อให้มีเวลาเพียงพอในการออกแบบ ผลิตภัณฑ์

เทคโนโลยี NAND ขนาด 25nm จะทำให้ Intel และ Micron จะนำหน้าคู่แข่งอย่างซัมซุงที่ก่อนหน้านี้จะเริ่มปรับมาใช้เทคโนโลยี 30nm ในการผลิตภายในสิ้นปี 2010 และวัตถุประสงค์อีกอย่างก็เพื่อลดต้นทุนการผลิตของชิพขนาด 25nm จะอยู่ราวๆ $ .50 ต่อกิกะไบต์ จะทำให้ลดค่าใช้จ่ายจากเดิมประมาณ $ 1.75 ต่อกิกะไบต์สำหรับ 45nm ในปัจจุบันได้ คิดว่าผลิตภัณฑ์ที่ใช้เทคโนโลยีตัวนี้น่าจะเริ่มมีออกมาในไตรมาสที่ 4 ของปี 2010 นะครับ

Source: PCWorld.com



คุณคิดเห็นอย่างไรกับข่าว/บทความนี้

กรุณาใส่ความคิดเห็นของคุณ!
กรุณาใส่ชื่อของคุณที่นี่